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规格书 |
2SA608N/2SC536N |
标准包装 | 1,500 |
晶体管类型 | NPN |
集电极电流(Ic)(最大) | 150mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 10mA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 280 @ 1mA, 6V |
功率 - 最大 | 500mW |
频率转换 | 200MHz |
安装类型 | * |
包/盒 | * |
供应商器件封装 | * |
包装材料 | * |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 150mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 200MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 10mA, 100mA |
标准包装 | 1,500 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | TO-226AA |
封装 | Tape & Reel (TR) |
功率 - 最大 | 500mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 280 @ 1mA, 6V |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.3 V |
晶体管极性 | NPN |
最大功率耗散 | 500 mW |
直流集电极/增益hfe最小值 | 160 |
直流电流增益hFE最大值 | 560 |
增益带宽产品fT | 200 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
集电极最大直流电流 | 400 mA |
配置 | Single |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 150 mA |
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